軌道蝕刻技術基礎介紹

聚合物原料薄膜的發束

重離子由離子源產(chan) 生，然後由回旋加速器加速至高達4 MeV/uma的能量。

對於(yu) 光束，聚合物薄膜在真空下通過掃描離子束以恒定速度解繞;因此，軌跡密度（或所需的孔密度）由離子束強度和薄膜速度精確定義(yi) 。

薄膜被拉過彎曲輥以增加軌道的角度展開，從(cong) 而通過避免平行的雙軌道來提高膜過濾器的選擇性。

束狀聚合物薄膜的化學蝕刻

在光束過程中產(chan) 生的線性軌跡主要以大分子鏈斷裂、高度親(qin) 水化學基團和自由真空為(wei) 特征。

因此，軌道比周圍的本體(ti) 聚合物對化學物質更敏感，並且可以選擇性地蝕刻，導致它們(men) 暴露在孔隙中。

化學蝕刻通常使用濃度和溫度控製良好的堿性水溶液進行。 它的主要特點是軌道蝕刻速率（Vt）和體(ti) 蝕刻速率（Vg). 高比率Vt/Vg 需要獲得具有圓柱形孔的均勻膜過濾器。

孔徑由蝕刻條件定義(yi) ，而孔密度由光束參數定義(yi) 。 因此，孔徑和孔密度可以獨立選擇。