關於揮發性碳矽烷的相關產品介紹

1.碳化矽薄膜和緩衝(chong) 層

2.用於(yu) 低 k 阻擋層和蝕刻停止層的 SiCO:H 薄膜

3.碳摻雜（拉伸應變）矽

4.碳氮化矽用於(yu) 矽基光伏電池的鈍化

5.ALD 促進圖案化和種子層

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通過適當選擇碳矽烷前體(ti) 和沉積條件，碳化矽骨架可以向取代矽和類金剛石結構轉變。

碳矽烷是這樣的化合物，其中矽和碳元素根據以下通用結構以大約 1:1 的比例在分子骨架或聚合物主鏈中交替：

一、碳矽烷化合物

二甲基矽烷：

附加屬性：水解敏感性與(yu) 堿水溶液發生反應

應用：

通過等離子體(ti) CVD 生成立方碳化矽。
采用三極等離子體(ti) CVD 進行立方碳化矽外延生長。

二烷基矽烷還原劑：

有機矽烷與(yu) 烴類似，具有充當離子還原劑和自由基還原劑的能力。這些試劑及其反應副產(chan) 物比許多其他還原劑更安全、更容易處理和處置。矽的金屬性質及其相對於(yu) 氫的低電負性導致 Si-H 鍵極化，產(chan) 生氫化氫和與(yu) 鋁、硼和其他金屬基氫化物相比更溫和的還原劑。矽基還原劑手冊(ce) 的表總結了一些關(guan) 鍵的矽烷還原。

揮發性碳矽烷：

碳矽烷是其中矽和碳元素在分子骨架或聚合物主鏈中以大約1:1的比例交替的化合物。通過適當選擇碳矽烷前體(ti) 和沉積條件，碳化矽骨架可以向取代矽和類金剛石結構轉變。

二、低聚矽烷和聚矽烷

聚二甲基矽烷：

應用：

用於(yu) 碳氮化矽薄膜的CVD。
在高溫下形成聚碳矽烷。

安全：
氮氣 下包裝

揮發性碳矽烷：

碳矽烷是其中矽和碳元素在分子骨架或聚合物主鏈中以大約1:1的比例交替的化合物。通過適當選擇碳矽烷前體(ti) 和沉積條件，碳化矽骨架可以向取代矽和類金剛石結構轉變。

揮發性高級矽烷：

揮發性高級矽烷是低溫、高沉積速率的前體(ti) 。通過適當選擇前體(ti) 和沉積條件，矽沉積可以從(cong) 非晶氫化矽轉向微晶矽結構。當矽原子數量增加到超過兩(liang) 個(ge) 時，電子能夠進行西格瑪-西格瑪鍵共軛。三個(ge) 氫原子中的兩(liang) 個(ge) 在末端矽原子上的解離吸附具有較低的能壘。

聚（二甲基矽烷）；聚二甲基矽： 

1.預陶瓷聚合物

2.在達到熔點 250-270 °C 之前會(hui) 發生大幅降解

3.DP：25-50

4.在高溫下形成聚碳矽烷

5.用於(yu) 矽基光伏電池鈍化的揮發性碳氮化矽 (SiCN) 前體(ti) 的固態源

6.用於(yu) 碳氮化矽薄膜的CVD

7.在 650 °C 以上的溫度下轉化為(wei) 碳矽烷