徑跡蝕刻技術基礎

原始聚合物薄膜的整經

重離子由離子源產(chan) 生，然後通過回旋加速器加速至高達 4 MeV/uma 的能量。

對於(yu) 束流，聚合物薄膜通過掃描離子束在真空下以恒定速度展開；因此，軌道密度（或所需的孔密度）由離子束強度和薄膜速度精確定義(yi) 。

將薄膜拉到彎曲輥上以增加軌道的角度範圍，從(cong) 而通過避免平行雙軌道來提高膜過濾器的選擇性。

橫梁聚合物薄膜的化學蝕刻

束流過程中產(chan) 生的線性軌道主要以大分子斷鏈、高親(qin) 水性化學基團和自由真空為(wei) 特征。

因此，軌道比周圍的本體(ti) 聚合物對化學物質更敏感，並且可以被選擇性地蝕刻，從(cong) 而導致它們(men) 暴露在孔隙中。

化學蝕刻通常是在控製良好的濃度和溫度下使用堿性水溶液進行的。其主要特征在於(yu) 軌道蝕刻速率(V t )和體(ti) 蝕刻速率(V g )。 需要高比率 V t / V g才能獲得具有圓柱形孔的均質膜過濾器。

孔徑由蝕刻條件定義(yi) ，而孔密度由光束參數定義(yi) 。因此可以獨立地選擇孔徑和孔密度。